路透:HBM良率不佳 三星放下尊嚴追隨SK海力士製造技術
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三星上個月發表率產業之先的36GB HBM3E 。美聯社
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路透引述多位消息人士報導,三星電子計劃採用由競爭對手SK海力士主導的一項晶片製造技術,力求在生產人工智慧(AI)高階晶片的競爭中迎頭趕上。
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隨着生成式AI日益普及,對高頻寬記憶體(HBM)的需求不斷增長。但三星顯然沒有拿到爲AI晶片先驅輝達(Nvidia)供應HBM晶片的生意,競爭不過SK海力士和美光(Micron)。
路透引述分析師與業界觀察家指出,三星落後的原因之一是堅持採用非導電膠膜(NCF)的晶片製造技術,導致生產出現問題;海力士則改用批量回流模製底部填充(MR-MUF)的方法來解決NCF的弱點。
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不過,路透引述消息人士報導,三星最近已下單採購用於MUF技術的晶片製造設備。
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消息人士指出,三星爲提高HBM良率,勢必要有所應變,「三星採用MUF技術,有點像是放下自尊,因爲終究不得不追隨SK海力士率先使用的技術」。
多位分析師透露,三星的HBM3生產良率大約爲10-20%,而SK海力士HBM3良率則高達60-70%。
HBM3和最新版本HBM3E目前需求正旺,這款記憶晶片和處理器封裝在一起,用於處理大量的生成式AI數據。
消息人士也表示,三星正在和日本的長瀨在內的材料製造商洽商,以取得MUF材料。不過,由於三星還需要進行更多測試,使用MUF來量產可能要等到明年纔會就緒。
消息人士也表示,三星電子打算兼採NCF和MUF技術來開發HBM晶片。
三星表示,他們開發的NCF技術是HBM產品的「最佳解決方案」,並將應用於新款HBM3E晶片。三星發佈新聞稿說:「我們正在按計劃推進HBM3E產品業務。」
NCF已是晶片製造商普遍採用的技術,在HBM堆疊多層晶片時,使用熱壓縮薄膜有助縮小堆疊的晶片之間的空間。
不過,隨着堆壘晶片增加,黏接材料常常引發製造上的問題。三星表示,最新的HBM3晶片共有12層晶片。晶片製造商一直在尋找解決這些弱點的替代辦法。
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美光上個月加入HBM3的競爭,宣佈最新的HBM3E獲輝達採用,用於搭配輝達將於第2季出貨的H200 Tensor圖形處理器(GPU)。
投資人己注意到三星電子在AI晶片競爭中的挫敗,今年股價下跌7%,相比之下,SK海力士和美光的股價分別上漲了17%和14%。
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